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碲化铋靶材Bi2Te3碲化锑靶材Sb2Te3碲化锗靶GeTe

2021-11-10 07:54:01  544次浏览 次浏览
价 格:面议

科研实验专用碲化铋靶材Bi2Te3碲化锑靶材Sb2Te3碲化锗靶GeTe磁控溅射靶材电子束镀膜蒸发料

产品介绍

碲化铋(Bi2Te3)是一种灰色的粉末,碲化铋是个半导体材料,具有较好的导电性,但导热性较差。虽然碲化铋的危险性低,但是如果大量的摄取也有致命的危险;但此种材料即可允许电子在室温条件下无能耗地在其表面运动,这将给芯片的运行速度带来飞跃,甚至可大大提高计算机芯片的运行速度和工作效率。用于半导体、电子冷冻和发电.

产品参数

中文名 碲化铋 化学式 Bi2Te3 分子量 800.76

熔点 585℃ 密度 7.642g/ml

产品介绍

碲化锑为温差电材料.碲化锑,周期表第VA,VIA族元素化合物半导体。

产品参数

中文名 碲化锑 分子式 Sb2Te3

分子量 626.32 熔点 620℃

密度 6.5g/cm3

产品介绍

碲化锗晶体可用作红外光发射和探测材料。周期表第W, 族元素化合物半导体。 离子性晶体。三角晶系面心结构,熔点724 C' 。为直接带隙半导体,采用熔化再结品法制备。

产品参数

中文名 碲化锗 化学式 GeTe

熔点 725℃ 密度 6.14g/ml

支持合金靶材定制,请提供靶材产品的元素、比例(重量比或原子比)、规格,我们会尽快为您报价!!

服务项目:靶材成份比例、规格、纯度均可按需定制。科研单位货到付款,质量保证,售后无忧!

产品附件:发货时产品附带装箱单/质检单/产品为真空包装

适用仪器:多种型号磁控溅射、热蒸发、电子束蒸发设备

质量控制:严格控制生产工艺,采用辉光放电质谱法GDMS或ICP光谱法等多种检测手段,分析杂质元素含量保证材料的高纯度与细小晶粒度;可提供质检报告。

加工流程:熔炼→提纯→锻造→机加工→检测→包装出库

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